IPG20N04S412AATMA1
記述:
IPG20N04S412AATMA1データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ IR (インフィニオン・テクノロジーズ) の製品詳細
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
IPG20N04S412AATMA1
製造者:
IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
IPG20N04S412AATMA1 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
IPG20N04S412AATMA1 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ11
コメント:
製造者:IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
Rds オン マックス:
12.2 mΩ
パッケージ量:
5000
権力 の 消耗:
41 W
最大電力の分散:
41 W
最大動作温度:
175 °C
連続的な下水管の流れ（ID）:
20 A
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
IPG20N04S412AATMA1.pdf
Qty:
5596 ストック
申請:
建物自動化
装置
携帯電話
パッケージ:
テープ&リール
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
1.47 nF
オン州の抵抗:
12.2 mΩ
最高の二重供給電圧:
40V
動作温度を最小限:
-55 °C
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
導入
IPG20N04S412AATMA1概要\\nIPG20N04S412AATMA1は,離散半導体の下のトランジスタ - FET,MOSFET - アレイ子サブカテゴリーに属するモデルである.特定の製品性能パラメータについて資料シート,例えばPDFファイル,Docx文書などを参照してください. 参考にIPG20N04S412AATMA1の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. IPG20N04S412AATMA1は,ビル・オートメーション,家電,携帯電話に広く使用されています. IR (Infineon Technologies) によって製造され,Fans,Tanssionおよび他の配送業者によって配布されています.IPG20N04S412AATMA1は様々な方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますIPG20N04S412AATMA1の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,離散半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持って IPG20N04S412AATMA1 を注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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