APTM120H140FT1G
記述:
APTM120H140FT1Gデータシート pdfとトランジスタ - FET,MOSFET - アレイ 製品詳細は,Tanssionで入手可能なRoving Networks / Microchip
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
APTM120H140FT1G
製造者:
ローイングネットワーク/マイクロチップ技術
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
APTM120H140FT1G データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
APTM120H140FT1G 詳細
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
57ドルだ21
コメント:
製造者:ロービングネットワークス/マイクロチップ技術
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
シャーシマウント,スクリュー
秋の時間:
24 ns
Rds オン マックス:
1.68 Ω
ピン数:
1
権力 の 消耗:
208W
エレメント数:
4
Turn-off遅れ時間:
85ns
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
1.4 Ω
連続的な下水管の流れ（ID）:
8 A
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1.2 kV
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
APTM120H140FT1G.pdf
Qty:
1917 ストック
申請:
ウェアラブル (非医療用)
ゲーム
医療
高さ:
12のmm
上昇時間:
15 ns
ケース/パッケージ:
モジュール
入れられたキャパシタンス:
3.812 nF
チャンネル数:
4
Turn-on遅れ時間:
26 ns
最大電力の分散:
208W
動作温度を最小限:
-40 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
30V
最大交差点温度 (Tj):
150 °C
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
1.2 kV
導入
APTM120H140FT1G概要\\nAPTM120H140FT1Gは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.APTM120H140FT1G 高画質の画像やデータシートがありますユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますAPTM120H140FT1Gは,ウェアラブル (非医療),ゲーム,医療に広く使用されている.Roving Networks / Microchip Technologyによって製造され,Fans,Tanssionおよび他のディストリビューターによって配布されている.APTM120H140FT1Gは様々な方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますAPTM120H140FT1Gの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンの APTM120H140FT1Gを注文することができます. 配送については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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