IPG20N04S412ATMA1
記述:
IPG20N04S412ATMA1データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ IR (インフィニオン・テクノロジーズ) の製品詳細はテンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
IPG20N04S412ATMA1
製造者:
IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
IPG20N04S412ATMA1 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
IPG20N04S412ATMA1 さらに情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ06
コメント:
製造者:IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
幅:
6.15mm
長さ:
5.15mm
パッケージ:
テープ&リール
Rds オン マックス:
12.2 mΩ
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
1.13 nF
Turn-on遅れ時間:
9 ns
Turn-off遅れ時間:
10 ns
最大電力の分散:
41 W
最大動作温度:
175 °C
源の抵抗に流出させなさい:
12.2 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
20 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
40V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
IPG20N04S412ATMA1.pdf
Qty:
3623 備蓄中
申請:
試験と測定
ハイブリッド・電気・パワートレインシステム
ブロードバンド固定接続
高さ:
1つのmm
秋の時間:
8 ns
上昇時間:
2 ns
スケジュールB:
8541290080
パッケージ量:
5000
権力 の 消耗:
41 W
オン州の抵抗:
12.2 mΩ
要素構成:
双重
最高の二重供給電圧:
40V
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
導入
IPG20N04S412ATMA1概要\\\\nIPG20N04S412ATMA1は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである. 特定の製品性能パラメータのために.,資料シート,例えばPDFファイル,Docx文書などを参照してください. 参考にIPG20N04S412ATMA1の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. IPG20N04S412ATMA1は,テスト&測定,ハイブリッド,電気&パワートレインシステム,ブロードバンド固定線アクセスで広く使用されています. IR (Infineon Technologies) によって製造され,ファンズによって配布されています.テンションおよび他の流通業者. IPG20N04S412ATMA1は,多くの方法で購入することができます. あなたはこのウェブサイトで直接注文することができます, または電話または電子メールで私たちに呼びることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますIPG20N04S412ATMA1の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持って IPG20N04S412ATMA1 を注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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