SISB46DN-T1-GE3
記述:
SISB46DN-T1-GE3 データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ 製品詳細 Vishay / Siliconix ストックからテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SISB46DN-T1-GE3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SISB46DN-T1-GE3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SISB46DN-T1-GE3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ90
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
高さ:
1.12mm
権力 の 消耗:
2.6W
Turn-on遅れ時間:
7 ns
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
9.7 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
11.4のA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
SISB46DN-T1-GE3.pdf
Qty:
2016 ストック
申請:
インフォテインメント&クラスター
ワイヤレスネットワーク
データセンターとエンタープライズコンピューティング
スケジュールB:
8541290080
チャンネル数:
2
Turn-off遅れ時間:
13 ns
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
最大交差点温度 (Tj):
150 °C
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
40V
導入
SISB46DN-T1-GE3概要\\\\nSISB46DN-T1-GE3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.SISB46DN-T1-GE3 高画質の画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますSISB46DN-T1-GE3は,インフォテインメント&クラスター,ワイヤードネットワーク,データセンター&エンタープライズコンピューティングに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SISB46DN-T1-GE3は,多くの方法で購入することができます. あなたはこのウェブサイトで直接注文することができます,またはあなたは電話または電子メールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSISB46DN-T1-GE3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,離散半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持って SISB46DN-T1-GE3を注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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