SI4922BDY-T1-E3
記述:
SI4922BDY-T1-E3 データシート pdf と トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイ Vishay/Siliconix ストックからの製品詳細はテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SI4922BDY-T1-E3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SI4922BDY-T1-E3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SI4922BDY-T1-E3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ49
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.55mm
体重:
186.993455 mg
パッケージ:
切断テープ
Rds オン マックス:
16 mΩ
スケジュールB:
8541290080
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
2.07 nF
限界電圧:
1.8 V
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
68 ns
最大電力の分散:
2W
動作温度を最小限:
-50 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
12V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
試験結果が示された場合
Qty:
4937 ストック
申請:
携帯電話
ホームシアター&エンターテインメント
電源供給
幅:
4mm
長さ:
5つのmm
秋の時間:
54 ns
上昇時間:
53 ns
抵抗力:
16 mΩ
ケース/パッケージ:
SOIC
コンタクトプレート:
スチール
権力 の 消耗:
2W
チャンネル数:
2
Turn-on遅れ時間:
13 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
16 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
8 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
30V
導入
SI4922BDY-T1-E3概要\\nSI4922BDY-T1-E3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI4922BDY-T1-E3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI4922BDY-T1-E3は,モバイル電話,ホームシアター&エンターテインメント,電源配送に広く使用されています.これはVishay/Siliconixによって製造され,ファンズ,テンションおよび他のディストリビューターによって配布されています.SI4922BDY-T1-E3は,多くの方法で購入することができますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI4922BDY-T1-E3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下で他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans顧客への配達について,私たちは様々な物流を通じて商品を配達することができます. DHL,FedEx,UPS,TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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