APTM100H35FTG
記述:
APTM100H35FTGデータシート pdfとトランジスタ - FET,MOSFET - アレイ 製品詳細は,Tanssionで入手可能なRoving Networks / Microchip Te
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
APTM100H35FTG
製造者:
ローイングネットワーク/マイクロチップ技術
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
APTM100H35FTG データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
APTM100H35FTG もっと情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
152ドルだ82
コメント:
製造者:ロービングネットワークス/マイクロチップ技術
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
シャーシマウント,スクリュー
パッケージ:
総量
Rds オン マックス:
420 mΩ
ピン数:
4
権力 の 消耗:
390W
Turn-on遅れ時間:
18 ns
最大電力の分散:
390W
動作温度を最小限:
-40 °C
連続的な下水管の流れ（ID）:
22 A
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
APTM100H35FTG.pdf
Qty:
3530 ストック
申請:
航空宇宙・防衛
ブロードバンド固定接続
ハイブリッド・電気・パワートレインシステム
秋の時間:
40 ns
上昇時間:
12ns
ケース/パッケージ:
モジュール
入れられたキャパシタンス:
5.2 nF
エレメント数:
4
Turn-off遅れ時間:
155 ns
最大動作温度:
150 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
30V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
1kV
導入
APTM100H35FTG概要\\nAPTM100H35FTGは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.APTM100H35FTGの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますAPTM100H35FTGは,航空宇宙・防衛,ブロードバンド固定接続,ハイブリッド・電気・パワートレインシステムで広く使用されています.ロービング・ネットワークス / マイクロチップ・テクノロジーによって製造され,ファンズによって配布されていますAPTM100H35FTGは,多くの方法で購入できます.このウェブサイトで直接注文したり,電話やメールでご相談ください.現在,十分な供給があります.さらに,私たちの独自のストックAPTM100H35FTGの供給が不十分である場合FET (分散型半導体トランジスタ) のモデルもありますMOSFETs - Arrays カテゴリーで置き換えられる. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans顧客への配達について,私たちは様々な物流を通じて商品を配達することができます. DHL,FedEx,UPS,TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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