IRF9953TRPBF
記述:
IRF9953TRPBFデータシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ IR (Infineon Technologies) ストックから製品詳細がタンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
IRF9953TRPBF
製造者:
IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
IRF9953TRPBF データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
IRF9953TRPBF さらに情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ76
コメント:
製造者:IR (インフィニオン・テクノロジーズ)
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.4986mm
秋の時間:
6.9 ns
上昇時間:
14ns
抵抗力:
250 mΩ
ケース/パッケージ:
そう
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
190 pF
チャンネル数:
2
Turn-on遅れ時間:
9.7 ns
Turn-off遅れ時間:
20 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
165 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
-2.3 A
流出電圧から源電圧 (Vdss):
-30 V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
IRF9953TRPBF.pdf
Qty:
175 ストック
申請:
データ保存
携帯電子機器
ボディ・エレクトロニクス&照明
幅:
3.9878mm
長さ:
4.9784mm
パッケージ:
テープ&リール
Rds オン マックス:
250 mΩ
スケジュールB:
8541290080
現在の格付け:
-2.3 A
パッケージ量:
4000
権力 の 消耗:
2W
エレメント数:
2
オン州の抵抗:
250 mΩ
定位電圧 (DC):
-30 V
最大電力の分散:
2W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
最大交差点温度 (Tj):
150 °C
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-30 V
導入
IRF9953TRPBF概要\\\\nIRF9953TRPBFは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.IRF9953TRPBF 高画質の画像やデータシートがありますユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. IRF9953TRPBFは,データストレージ,ポータブル電子機器,ボディ電子機器および照明に広く使用されています. IR (Infineon Technologies) によって製造され,ファンズによって配布されています.テンションおよび他の流通業者. IRF9953TRPBFは,多くの方法で購入することができます. あなたは直接このウェブサイトで注文することができます, または電話または電子メールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますIRF9953TRPBFの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans輸送については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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