NTJD4152PT1G
記述:
NTJD4152PT1Gデータシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ サンヨ半導体/ON半導体の製品詳細はテンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
NTJD4152PT1G
製造者:
サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
NTJD4152PT1G データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
NTJD4152PT1G 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ46
コメント:
メーカー:サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
幅:
1.3462mm
長さ:
2.1844 mm
パッケージ:
テープとロール
Rds オン マックス:
260mΩ
スケジュールB:
8541210080
現在の格付け:
-880 mA
入れられたキャパシタンス:
155 pF
限界電圧:
-1.2V
Turn-on遅れ時間:
5.8ns
定位電圧 (DC):
-20 V
最大電力の分散:
272 MW
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
12V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
NTJD4152PT1G.pdf
Qty:
539 備蓄 中
申請:
装置
パソコンとノートPC
高さ:
990.6 μm
秋の時間:
6.5 ns
上昇時間:
6.5 ns
抵抗力:
215 MΩ
ケース/パッケージ:
SOT-363-6
ピン数:
6
権力 の 消耗:
272 MW
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
13.5ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
600 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
880 mA
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-20 V
導入
NTJD4152PT1G概要\\nNTJD4152PT1Gは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.NTJD4152PT1Gの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますNTJD4152PT1Gは,電器,PCおよびノートパソコンに広く使用されています.これはサンヨ半導体/ON半導体によって製造され,ファンズ,テンションおよび他の配送業者によって配布されています.NTJD4152PT1Gは様々な方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますNTJD4152PT1Gの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans配送については,私たちはDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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