SI7272DP-T1-GE3
記述:
SI7272DP-T1-GE3 データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ Vishay / Siliconix ストックからの製品詳細はテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SI7272DP-T1-GE3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SI7272DP-T1-GE3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SI7272DP-T1-GE3 さらに情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ50
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.04mm
体重:
506.605978mg
上昇時間:
15 ns
スケジュールB:
8541290080
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
1.1 nF
限界電圧:
2.5V
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
22 ns
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
9.3 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
15A
製造業者のパッケージの鑑定器:
二重PowerPAK® SO-8
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
試験結果が示された場合
Qty:
7509 備蓄中
申請:
航空宇宙・防衛
データコムモジュール
電源供給
幅:
5.89mm
長さ:
4.9 mm
秋の時間:
10 ns
Rds オン マックス:
9.3 mΩ
ケース/パッケージ:
SOIC
コンタクトプレート:
スチール
権力 の 消耗:
3.6 W
チャンネル数:
2
Turn-on遅れ時間:
20 ns
最大電力の分散:
22W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
SI7272DP-T1-GE3概要\\nSI7272DP-T1-GE3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI7272DP-T1-GE3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI7272DP-T1-GE3は,航空宇宙および防衛,データコンモジュール,電源配送に広く使用されています.これはVishay/Siliconixによって製造され,Fans,Tanssionおよび他の配送業者によって配布されています.SI7272DP-T1-GE3は様々な方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI7272DP-T1-GE3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンの SI7272DP-T1-GE3を注文することができます. 配送については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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