NTMD4820NR2G
記述:
NTMD4820NR2Gデータシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ ロチェスター電子の商品詳細はテンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
NTMD4820NR2G
製造者:
ロチェスター電子
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
NTMD4820NR2G データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
NTMD4820NR2G 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ35
コメント:
メーカー ロチェスター電子
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
幅:
4mm
長さ:
5つのmm
パッケージ:
Digi-Reel®
Rds オン マックス:
34 mΩ
ピン数:
8
入れられたキャパシタンス:
900 pF
エレメント数:
1
Turn-off遅れ時間:
21 ns
最大電力の分散:
1.29W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
40V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
NTMD4820NR2G.pdf
Qty:
6696 備蓄中
申請:
ハイブリッド・電気・パワートレインシステム
携帯電話
ゲーム
高さ:
1.5 mm
秋の時間:
4 ns
上昇時間:
4 ns
ケース/パッケージ:
SOIC
コンタクトプレート:
スチール
権力 の 消耗:
1.28W
Turn-on遅れ時間:
9.4 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
20 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
6.4 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
30V
導入
NTMD4820NR2G概要\\nNTMD4820NR2Gは,特異半導体の下のトランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysサブカテゴリに属するモデルである.特定の製品性能パラメータのために,データシートを参照してください.NTMD4820NR2Gの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますNTMD4820NR2Gは,ハイブリッド,電気およびパワートレインシステム,携帯電話,ゲームに広く使用されています. ロチェスター・エレクトロニクスによって製造され,ファンズ,テンションおよび他のディストリビューターによって配布されています.NTMD4820NR2Gは様々な方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますNTMD4820NR2Gの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンのから NTMD4820NR2Gを注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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