QS8J1TR
記述:
QS8J1TRデータシート pdfとトランジスタ - FETs,MOSFETs - Arrays ROHM半導体ストックから製品詳細はテンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
QS8J1TR
製造者:
ローム半導体
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
QS8J1TR データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
QS8J1TR 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ02
コメント:
メーカー:ROHMセミコンダクター
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
上昇時間:
75 ns
ピン数:
8
権力 の 消耗:
1.5W
Turn-off遅れ時間:
390 ns
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
29 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
4.5 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-12 V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
QS8J1TR.pdf
Qty:
2992 備蓄中
申請:
建物自動化
ハイブリッド・電気・パワートレインシステム
データセンターとエンタープライズコンピューティング
秋の時間:
215 ns
Rds オン マックス:
29 mΩ
入れられたキャパシタンス:
2.45 nF
Turn-on遅れ時間:
12ns
最大電力の分散:
1.25W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
10V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
12V
導入
QS8J1TR概要\\nQS8J1TRは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品パフォーマンスパラメータについては,データシートを参照してください.QS8J1TRの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. QS8J1TRは,ビルダウマティクス,ハイブリッド,電気およびパワートレーンシステム,データセンターおよびエンタープライズコンピューティングに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. QS8J1TRは,多くの方法で購入することができます. あなたは,このウェブサイトで直接注文することができます, または,電話または電子メールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに,私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますQS8J1TRの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansQS8J1TRをファンから安心して注文できます. 配達については,私たちはDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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