NTHD3100CT1G
記述:
NTHD3100CT1Gデータシート pdfとトランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイ Sanyo Semiconductor/ON Semiconductorの製品詳細はテンションで入
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
NTHD3100CT1G
製造者:
サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
NTHD3100CT1G データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
NTHD3100CT1G 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ62
コメント:
メーカー:サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
幅:
1.65 mm
長さ:
3.05mm
秋の時間:
11.7 ns
上昇時間:
11.7 ns
スケジュールB:
8541290080
現在の格付け:
2.9 A
入れられたキャパシタンス:
165 pF
限界電圧:
-1.5 V
Turn-on遅れ時間:
6.3ns
定位電圧 (DC):
20V
最大電力の分散:
1.1W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
8V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
NTHD3100CT1G.pdf
Qty:
2045 ストック
申請:
ゲーム
工業輸送 (自動車以外のトラック)
接続された周辺機器とプリンタ
高さ:
1.05 mm
体重:
4.535924g
パッケージ:
テープとロール
Rds オン マックス:
80 mΩ
ケース/パッケージ:
SMD/SMT
ピン数:
8
権力 の 消耗:
1.1W
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
16 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
64 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
3.2A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-20 V
導入
NTHD3100CT1G概要\\nNTHD3100CT1Gは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品パフォーマンスパラメータについては,データシートを参照してください.NTHD3100CT1Gの高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますNTHD3100CT1Gは,ゲーム,産業輸送 (非自動車および軽トラック),接続された周辺機器およびプリンタで広く使用されています.サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクターによって製造され,ファンズによって配布されています.NTHD3100CT1Gは様々な方法で購入できます.このウェブサイトで直接注文したり,電話やメールでご相談ください.現在,十分な供給があります.さらに,私たちの独自のストックNTHD3100CT1Gの供給が不十分である場合,FET (分散型半導体トランジスタ) のモデルもありますMOSFETs - Arrays カテゴリーで置き換えられる. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンのからNTHD3100CT1Gを注文することができます. 配達について,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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