NVJD5121NT1G
記述:
NVJD5121NT1Gデータシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ サンヨ半導体/ON半導体の製品詳細はテンションで入手可能
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
NVJD5121NT1G
製造者:
サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
NVJD5121NT1G データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
NVJD5121NT1G 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ46
コメント:
メーカー:サンヨ・セミコンダクター/ONセミコンダクター
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
秋の時間:
32 ns
上昇時間:
34 ns
スケジュールB:
8541210080
入れられたキャパシタンス:
26 pF
チャンネル数:
2
Turn-off遅れ時間:
34 ns
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
1 Ω
連続的な下水管の流れ（ID）:
295 mA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
60V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
NVJD5121NT1G.pdf
Qty:
962 ストック
申請:
建物自動化
モータードライブ
試験と測定
高さ:
1.1 mm
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
Rds オン マックス:
1.6Ω
ケース/パッケージ:
SOT-363-6
権力 の 消耗:
250mW
Turn-on遅れ時間:
22 ns
最大電力の分散:
250mW
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
最大交差点温度 (Tj):
150 °C
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
60V
導入
NVJD5121NT1G概要\\nNVJD5121NT1Gは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.高画質の画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますNVJD5121NT1Gは,建物自動化,モーター駆動,テスト&測定に広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. NVJD5121NT1Gは,多くの方法で購入することができます. あなたは直接このウェブサイトで注文することができます, または電話またはメールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますNVJD5121NT1Gの供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってFansからNVJD5121NT1Gを注文することができます. 配達については,私たちはDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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