TPS1120DG4
記述:
TPS1120DG4データシート pdfとトランジスタ - FET,MOSFET - アレイ 製品詳細は,テンションで入手可能なテキサスインストゥルメントのストックから
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
TPS1120DG4
製造者:
テキサス・インストラクション
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
TPS1120DG4 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
TPS1120DG4 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
1ドルだ54
コメント:
メーカー:テキサス・インストルメント
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.58 mm
秋の時間:
10 ns
Rds オン マックス:
180 mΩ
ピン数:
8
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
13 ns
最大動作温度:
125 °C
源の抵抗に流出させなさい:
180 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
1.17A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
15V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
TPS1120DG4.pdf
Qty:
303 ストック
申請:
データ保存
携帯電話
照明
幅:
3.91 mm
長さ:
4.9 mm
上昇時間:
10 ns
ケース/パッケージ:
SOIC
権力 の 消耗:
840 MW
Turn-on遅れ時間:
4.5 ns
最大電力の分散:
840 MW
動作温度を最小限:
-40 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
2ボルト
流出電圧から源電圧 (Vdss):
15V
導入
TPS1120DG4概要\\nTPS1120DG4は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品パフォーマンスパラメータについては,データシートを参照してください.TPS1120DG4の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. TPS1120DG4は,データストレージ,携帯電話,照明に広く使用されています. テキサス・インストルメントによって製造され,ファンズ,テンションおよび他の配送業者によって配布されています.TPS1120DG4 は いろいろな方法で購入できますこのウェブサイトで直接注文したり,電話したり,メールしたりできます. 現在,十分な供給があります.あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますTPS1120DG4の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持って TPS1120DG4 を注文することができます. 配達については,私たちはDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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