ZXMD65P02N8TC
記述:
ZXMD65P02N8TCデータシート pdfとトランジスタ - FET,MOSFET - 配列 ゼテックスセミコンダクター (ダイオード株式会社) の製品詳細
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
ZXMD65P02N8TC
製造者:
ゼテックス・セミコンダクターズ (ダイオード株式会社)
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
ZXMD65P02N8TC データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
ZXMD65P02N8TC 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ00
コメント:
メーカー:ゼテックス・セミコンダクターズ (ダイオード株式会社)
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.5 mm
体重:
73.992255 mg
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
Rds オン マックス:
50 mΩ
現在の格付け:
-4.4 A
入れられたキャパシタンス:
960 pF
チャンネル数:
2
Turn-off遅れ時間:
57.9 ns
最大電力の分散:
1.25W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
12V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
ZXMD65P02N8TC.pdf
Qty:
587 備蓄 中
申請:
ワイヤレスインフラストラクチャ
工場自動化と制御
接続された周辺機器とプリンタ
幅:
4mm
長さ:
5つのmm
秋の時間:
29.9 ns
上昇時間:
29.9 ns
ケース/パッケージ:
SOIC
ピン数:
8
権力 の 消耗:
1.25W
Turn-on遅れ時間:
6.6 ns
定位電圧 (DC):
-20 V
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
80 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
4A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-20 V
導入
ZXMD65P02N8TC概要\\nZXMD65P02N8TCは,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.ZXMD65P02N8TCの高画質画像とデータシートがありますユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. ZXMD65P02N8TCは,ワイヤレスインフラストラクチャ,工場自動化および制御,接続された周辺機器およびプリンタに広く使用されています.ファンによって配布されていますZXMD65P02N8TCは,多くの方法で購入できます.あなたはこのウェブサイトで直接注文することができます,または電話またはメールで私たちにすることができます.現在,我々は十分な供給を持っています.さらに,私たちの独自のストックZXMD65P02N8TCの供給が不十分である場合FET (分散型半導体トランジスタ) のモデルもありますMOSFETs - Arrays カテゴリーで置き換えられる. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンの ZXMD65P02N8TCを注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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