SI4923DY-T1-E3
記述:
SI4923DY-T1-E3 データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ 製品詳細 Vishay / Siliconix のストックからテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SI4923DY-T1-E3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SI4923DY-T1-E3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SI4923DY-T1-E3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ00
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
1.5494mm
秋の時間:
10 ns
Rds オン マックス:
21 mΩ
ピン数:
8
Turn-on遅れ時間:
15 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
21 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
6.2 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-30 V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
電子機器は,電子機器の
Qty:
199 備蓄中
申請:
ボディ・エレクトロニクス&照明
データセンターとエンタープライズコンピューティング
携帯電子機器
幅:
3.9878mm
長さ:
4.9784mm
上昇時間:
10 ns
ケース/パッケージ:
SOIC
権力 の 消耗:
1.1W
Turn-off遅れ時間:
135 ns
最大電力の分散:
1.1W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
20V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
導入
SI4923DY-T1-E3概要\\nSI4923DY-T1-E3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI4923DY-T1-E3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI4923DY-T1-E3は,ボディ電子機器と照明,データセンターとエンタープライズコンピューティング,ポータブル電子機器に広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SI4923DY-T1-E3は,多くの方法で購入することができます. あなたは,このウェブサイトで直接注文することができます, または,電話またはメールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに,私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI4923DY-T1-E3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,離散半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans顧客への配達については,DHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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