SI1033X-T1-E3
記述:
SI1033X-T1-E3 データシート pdf と トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arrays Vishay/Siliconix の製品詳細はテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SI1033X-T1-E3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SI1033X-T1-E3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SI1033X-T1-E3 さらに情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ00
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
600 μm
体重:
32.006612 mg
上昇時間:
30 ns
ピン数:
6
チャンネル数:
2
Turn-off遅れ時間:
60 ns
最大電力の分散:
250mW
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
5V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
試験結果が示された場合
Qty:
172 備蓄 中
申請:
航空宇宙・防衛
電子販売ポイント (EPOS)
ホームシアター&エンターテインメント
幅:
1.2MM
長さ:
1.7 mm
秋の時間:
30 ns
Rds オン マックス:
8 Ω
権力 の 消耗:
280mW
Turn-on遅れ時間:
55 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
8 Ω
連続的な下水管の流れ（ID）:
145 mA
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
-20 V
導入
SI1033X-T1-E3概要\\nSI1033X-T1-E3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI1033X-T1-E3の高画質画像とデータシートがありますユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI1033X-T1-E3は,航空宇宙・防衛,電子販売ポイント (EPOS),ホームシアター・エンターテインメントに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SI1033X-T1-E3は,多くの方法で購入することができます. あなたは,このウェブサイトで直接注文することができます, または,電話または電子メールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに,私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI1033X-T1-E3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans顧客への配達について,私たちは様々な物流を通じて商品を配達することができます. DHL,FedEx,UPS,TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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