SI5947DU-T1-E3
記述:
SI5947DU-T1-E3 データシート pdf と トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイ Vishay / Siliconix ストックからの製品詳細は,テンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SI5947DU-T1-E3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SI5947DU-T1-E3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SI5947DU-T1-E3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ00
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
高さ:
750 μm
秋の時間:
10 ns
上昇時間:
15 ns
ピン数:
8
権力 の 消耗:
2.3W
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
25 ns
最大電力の分散:
2.3W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
12V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
試験結果が示される
Qty:
443 ストック
申請:
ハイブリッド・電気・パワートレインシステム
試験と測定
パソコンとノートPC
幅:
1.9mm
長さ:
3つのmm
パッケージ:
Digi-Reel®
Rds オン マックス:
58 mΩ
入れられたキャパシタンス:
480 pF
チャンネル数:
2
Turn-on遅れ時間:
5 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
58 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
5 A
導入
SI5947DU-T1-E3概要\\nSI5947DU-T1-E3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSI5947DU-T1-E3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けます. SI5947DU-T1-E3はハイブリッド,電気およびパワートレーンシステム,テストおよび測定,PCおよびノートブックに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SI5947DU-T1-E3は,多くの方法で購入することができます. あなたは,このウェブサイトで直接注文することができます, または,電話またはメールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに,私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSI5947DU-T1-E3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってファンのからSI5947DU-T1-E3を注文することができます. 配達については,我々はDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
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