SIA914DJ-T1-GE3
記述:
SIA914DJ-T1-GE3 データシート pdf と トランジスタ - FET,MOSFET - アレイ Vishay/Siliconix ストックからの製品詳細はテンションで入手できます
部門:
分離した半導体製品
指定
部品番号:
SIA914DJ-T1-GE3
製造者:
Vishay/Siliconix
記述:
ストックで 代替モデルも
ライフサイクル:
このメーカーからの新品
データシート:
SIA914DJ-T1-GE3 データシート PDF
配達:
DHL、UPS、FedEx、レギストドメール
支払い:
T/T パイパール ビザ マニーグラム ウェスタンユニオン
詳細情報:
SIA914DJ-T1-GE3 詳細情報
ECAD:
無料 CAD モデル を 要求 する
価格 (USD):
0ドルだ00
コメント:
製造者:ヴィシャイ/シリコニックス
テンションは ディストリビューターだ
幅広い用途
マウント:
表面マウント
上昇時間:
32 ns
抵抗力:
53 mΩ
ケース/パッケージ:
SC
入れられたキャパシタンス:
400 pF
限界電圧:
1V
Turn-on遅れ時間:
5 ns
要素構成:
双重
最大動作温度:
150 °C
源の抵抗に流出させなさい:
53 mΩ
連続的な下水管の流れ（ID）:
4.5 A
源の絶縁破壊電圧に流出させなさい:
20V
製品カテゴリー:
離散半導体 - トランジスタ - FET,MOSFET - 配列
データシート:
SIA914DJ-T1-GE3.pdf
Qty:
895 備蓄中
申請:
装置
工業輸送 (自動車以外のトラック)
錠剤
秋の時間:
53 ns
Rds オン マックス:
53 mΩ
わずかなVgs:
1V
ピン数:
6
権力 の 消耗:
1.9W
エレメント数:
2
Turn-off遅れ時間:
30 ns
最大電力の分散:
6.5W
動作温度を最小限:
-55 °C
源の電圧（Vgs）へのゲート:
8V
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
導入
SIA914DJ-T1-GE3概要\\nSIA914DJ-T1-GE3は,トランジスタ - FETs,MOSFETs - Arraysのサブカテゴリーである.特定の製品性能パラメータについては,データシートを参照してください.参考にSIA914DJ-T1-GE3の高画質画像とデータシートがあります.ユーザがより直感的で包括的に私たちの製品を理解できるように様々なビデオファイルと3Dモデルを生産し続けますSIA914DJ-T1-GE3は,電器,産業輸送 (非自動車・軽トラック),タブレットに広く使用されています.テンションおよび他の流通業者. SIA914DJ-T1-GE3は,多くの方法で購入することができます. あなたは直接このウェブサイトで注文することができます, または電話または電子メールで私たちにすることができます. 現在,我々は十分な供給を持っています. さらに私たちの独自のストック,あなたのニーズを満たすために同級配送業者にも在庫を調整することができますSIA914DJ-T1-GE3の供給が不十分である場合,我々はまた,それを置き換えるために,別途半導体トランジスタ - FETs,MOSFETs - アレイのカテゴリーの下の他のモデルを持っています. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans信頼を持ってFansからSIA914DJ-T1-GE3を注文できます. 配達については,私たちはDHL,FedEx,UPSなどの様々な物流を通じて顧客に商品を配達することができます.TNT と EMS または他の貨物輸送会社貨物についてもっと知りたいなら,もっと詳細に連絡してください.
シア914dj.pdf
シア914dj.pdf
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: