IRFB38N20DPBF
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
91 nC @ 10 V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
54mOhm @ 26A, 10V
FET Type:
N-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2900 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
43A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFB38
導入
Nチャネル 200V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 穴を通ってTO-220AB
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: