IXXN110N65C4H1
メーカー:
イクシス
記述:
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
部門:
分離した半導体製品
指定
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
IGBTs
IGBT Modules
Current - Collector (Ic) (Max):
210 A
Product Status:
Active
Mounting Type:
Chassis Mount
Package:
Tube
Series:
XPT™, GenX4™
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 110A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max):
50 µA
IGBT Type:
PT
Power - Max:
750 W
Input:
Standard
入力容量 (Cies) @ Vce:
3.69 nF @ 25V
Configuration:
Single
NTC サーミストール:
はい
Base Product Number:
IXXN110
導入
IGBT モジュール PT シングル 650 V 210 A 750 W シャーシマウント SOT-227B
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: