JANTX1N5811US
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
ダイオード
矯正器
シングルダイオード
Product Status:
Active
電流 - 逆流出 @ Vr:
5 μA @ 150 V
Mounting Type:
Surface Mount
ストレージ - 前向き (Vf) (最大):
875 mV @ 4 A
Package:
Bulk
シリーズ:
軍事,MIL-PRF-19500/477
Capacitance @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
B, SQ-MELF
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
SQ-MELF, B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
150 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5811
導入
ダイオード 150 V 3A 表面マウント B,SQ-MELF
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: