指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
900mV @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
12 NC @ 4.5ボルト
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
44mOhm @ 3.7A,4.5V
FETタイプ:
Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
30V
Vgs (最大):
±12V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
635 pF @ 15 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
TO-236AB
Mfr:
Nexperia USA Inc.
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
3.7A (Ta)
電力損失(最高):
490mW (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
PMV40UN2
導入
Nチャンネル 30 V 3.7A (Ta) 490mW (Ta) 表面マウント TO-236AB
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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PMV27UPEAR |
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MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
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