指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
FETの特徴:
-
Vgs(th) (最大) @ Id:
1V @ 250µA
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース:
SOT-523
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
0.622 nC @ 4.5V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
700mOhm @ 350mA 4.5V
FETタイプ:
P-Channel
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
1.8V、4.5V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss):
20V
Vgs (最大):
±6V
製品の状況:
アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
59.76 pF @ 16 V
マウントタイプ:
表面マウント
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-523
Mfr:
ディオード組み込み
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
460mA (Ta)
電力損失(最高):
270mW (Ta)
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号:
DMG1013
導入
Pチャンネル 20 V 460mA (Ta) 270mW (Ta) 表面マウント SOT-523
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