指定
製品カテゴリー:
MOSFET
Vgs (最大):
±30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C:
20A (Tc)
@ qty:
0
FETタイプ:
Nチャンネル
マウントタイプ:
穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs:
60nC @ 10V
製造者:
STMマイクロ電子機器
最低の量:
1
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン):
10V
工場用品:
0
動作温度:
150°C (TJ)
FETの特徴:
-
シリーズ:
MDmesh™ II
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1800pF @ 50V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-247-3
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
トューブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:
165 mOhm @ 10A, 10V
電力損失(最高):
140W(TC)
パッケージ/ケース:
TO-247-3
テクノロジー:
MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id:
4V @ 250µA
流出電圧から源電圧 (Vdss):
600V
導入
STW26NM60N,STMmicroelectronicsから,MOSFETです.我々が提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格を持っています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
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