MC33152DR2G
メーカー:
単体
記述:
ICの運転者MOSFETはHS 8SOIC二倍になる
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
ゲートの運転者
最高高い側面の電圧- （ブートストラップ）:
-
昇降時間 (種類):
36n,32n
論理の電圧- VIL、VIH:
0.8V,2.6V
電圧 - 供給:
6.1V~18V
チャンネルタイプ:
独立
@ qty:
0
マウントタイプ:
表面マウント
製造者:
一半
最低の量:
2500
工場用品:
0
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
運転者の数:
2
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
テープ&リール (TR)
ゲートのタイプ:
N-Channel MOSFET
運転された構成:
低側
入力タイプ:
非逆になること
パッケージ/ケース:
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
現在-ピーク出力（源、流し）:
1.5A、1.5A
導入
MC33152DR2Gは,onsemiから,ゲートドライバです. 我々は提供しています グローバル市場で競争力のある価格,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: