MCP14E5-E/SN
メーカー:
マイクロチップ技術
記述:
IC MOSFET DVR 4.0A デュアル 8SOIC
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
ゲートの運転者
最高高い側面の電圧- （ブートストラップ）:
-
昇降時間 (種類):
15インチ 18インチ
論理の電圧- VIL、VIH:
0.8V、2.4V
電圧 - 供給:
4.5V～18V
チャンネルタイプ:
独立
@ qty:
0
マウントタイプ:
表面マウント
製造者:
マイクロチップ技術
最低の量:
1
工場用品:
0
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
運転者の数:
2
シリーズ:
-
供給者のデバイスパッケージ:
8-SOIC
部品のステータス:
アクティブ
パッケージ:
トューブ
ゲートのタイプ:
IGBT,Nチャンネル,Pチャンネル MOSFET
運転された構成:
低側
入力タイプ:
非逆になる逆になること
パッケージ/ケース:
8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
現在-ピーク出力（源、流し）:
4A、4A
導入
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