W989D6DBGX6I
メーカー:
ウィンボンド電子
記述:
IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA について
部門:
半導体
指定
テクノロジー:
SDRAM - モバイル LPSDR
製品カテゴリー:
メモリIC
メモリタイプ:
揮発性
工場用品:
0
サイクルの時間 - 単語,ページ:
15ns
供給者のデバイスパッケージ:
54-VFBGA (8x9)
アクセス時間:
5ns
メモリ形式:
DRAM
部品のステータス:
アクティブ
メモリサイズ:
512Mb (32M x 16)
パッケージ:
トレー
@ qty:
0
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
最低の量:
312
メモリインターフェース:
パラレル
パッケージ/ケース:
54-TFBGA
マウントタイプ:
表面マウント
時計の周波数:
166MHz
電圧 - 供給:
1.7V~1.95V
シリーズ:
-
製造者:
ウィンボンド電子
導入
W989D6DBGX6Iは,Winbond Electronicsから,メモリICです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
Related Products
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
|
|
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
|
|
W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
|
|
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
|
|
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
|
|
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: