NGB8207BNT4G
メーカー:
リテルヒューズ
記述:
IGBTトランジスタ GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
部門:
半導体
指定
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
SMD/SMT
Pd - エネルギー分散:
165W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
365V
パッケージ/ケース:
D2PAK
最大動作温度:
+ 175 C
パッケージ:
リール
最高のゲートのエミッターの電圧:
15V
25 Cの連続的なコレクター流れ:
20 A
製造者:
リテルヒューズ
導入
リトルファイズのNGB8207BNT4Gは,IGBTトランジスタです. 私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: