IKW50N65H5
メーカー:
インフィニオン・テクノロジーズ
記述:
IGBTトランジスタ エンジニアリング サンプル トレンチストップ-5 IGBT
部門:
半導体
指定
ゲート エミッターの漏出流れ:
100 nA
製品カテゴリー:
IGBTトランジスタ
マウントスタイル:
穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ:
80A
Pd - エネルギー分散:
305W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
650ボルト
パッケージ/ケース:
TO-247-3
最大動作温度:
+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧:
20V
構成:
シングル
Collector-Emitterの飽和電圧:
1.95 V
製造者:
インフィニオン・テクノロジーズ
導入
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