MMBT5551LT1G
メーカー:
単体
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
NPN
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最大 DC コレクタ電流:
0.6 A
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
160V
パッケージ/ケース:
SOT-23-3
最大動作温度:
+150C
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
140V
シリーズ:
MMBT5551L
エミッターの基礎電圧VEBO:
6ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧:
0.15ボルト
製造者:
一半
導入
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