MJD50T4G
メーカー:
単体
部門:
半導体
指定
トランジスター極性:
NPN
製品カテゴリー:
両極トランジスター- BJT
マウントスタイル:
SMD/SMT
最大 DC コレクタ電流:
1A
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO:
400V
パッケージ/ケース:
TO-252-3
最大動作温度:
+150C
利益帯域幅プロダクトfT:
10 MHz
構成:
シングル
コレクターの基礎電圧VCBO:
500ボルト
シリーズ:
MJD50
エミッターの基礎電圧VEBO:
5V
Collector-Emitterの飽和電圧:
1V
製造者:
一半
導入
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