UMG8NTR
メーカー:
ローム半導体
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
バイポーラトランジスタ配列
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
2 NPN - バイアス (ダブル)
頻度 - 移行:
250MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
UMT5
抵抗 - ベース (R1):
4.7kOhms
Mfr:
ROHM 半導体
レジスタ - エミッターベース (R2):
47kOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
150mW
パッケージ/ケース:
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 について
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA 5V
基本製品番号:
UMG8
導入
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) 2 NPN - バイアス式バイアス式 (ダブル) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面マウント UMT5
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: