指定
トランジスター極性:
Nチャンネル
高さ:
20mm
マウントスタイル:
穴を抜ける
長さ:
15.5mm
ID -連続的な下水管の流れ:
15A
製品カテゴリー:
半導体集積回路 - IC
サブカテゴリー:
MOSFETs
パッケージ/ケース:
TO-3PN-3
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:
500ボルト
テクノロジー:
Si
構成:
シングル
幅:
4.5 mm
チャンネル数:
1 チャンネル
工場用品数:
50
Rdsのオン下水管源の抵抗:
400のmOhms
製造者:
東芝の半導体
導入
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