NE3515S02-T1C-A
メーカー:
セル
記述:
超低騒音 偽形 HJ
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
4V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
0.3dB
供給者のデバイスパッケージ:
4-マイクロX
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
12GHz
利益:
12.5dB
パッケージ/ケース:
4-マイクロX
現在-テスト:
10mA
電力 - 輸出:
-
テクノロジー:
HFET
定位電流 (アンプ):
88mA
導入
RF モスフェット 2V 10mA 12GHz 12.5dB 4-マイクロX
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: