DTA114YUAT106
メーカー:
ローム半導体
記述:
トランスプレビアス PNP 200MW UMT3
部門:
分離した半導体製品
指定
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100MA
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
頻度 - 移行:
250 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
UMT3
抵抗 - ベース (R1):
10のkOhms
Mfr:
ROHM 半導体
レジスタ - エミッターベース (R2):
47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
200mW
パッケージ/ケース:
SC-70,SOT-323
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
DTA114
導入
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式50V 100mA 250MHz 200mW 表面マウントUMT3
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ: