ビシャイ半導体
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導入
ビシャイ半導体
新製品
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET Nチャネル 20V 3.9A
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Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
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SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
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SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120モフム @ 10V
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IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9モハム @ 10V
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SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
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SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32モハム @ 4.5V
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SQM40031EL_GE3 |
MOSFET P CH -40V Vds AEC-Q101は修飾した
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SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 合格
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SI2312CDS-T1-GE3 |
MOSFET 20V 6A N-CH MOSFET
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SI7938DP-T1-GE3 |
MOSFET 40V 60A 46W 5.8mohm @ 10V
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SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
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SI1539CDL-T1-GE3 |
MOSFET 30 ボルト 0.7 アムペア 0.34 ワット
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SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A ダブル N-CH MOSFET
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SI2303CDS-T1-GE3 |
MOSFET 30V 2.7A 2.3W 190モハムス @ 10V
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SI4488DY-T1-E3 |
MOSFET 150V 5A 3.1W
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SI5515CDC-T1-GE3 |
MOSFET 20V 4A / 4A N&P-CH MOSFET
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SI7119DN-T1-E3 |
MOSFET 200V 3.8A 52W 1.05ohm @ 10V
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SI4848DY-T1-GE3 |
MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mAh @ 10V
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SI4134DY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 14A 5.0W
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SI7336ADP-T1-E3 |
MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
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SI1902DL-T1-E3 |
MOSFET 20V 0.70A
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IRFP460APBF |
MOSFET N-Chan 500V 20アンパール
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IRF540PBF |
MOSFET N-Chan 100V 28Amp
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SI7615ADN-T1-GE3 |
MOSFET -20V 4.4mOhm@10V 35A P-Ch G-III
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SI7315DN-T1-GE3 |
MOSFET -150V.315ohm@-10V -8.9A P-Ch T-FET
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試験対象となるのは, |
MOSFET -30V 2.6mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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